KSL8P18简介
是一个低功耗和高速CMOS技术的8位微处理器。它配备了一个2048*16位的电气一次性可编程存储器和一个78*8位的数据存储器两个程序和数据是线性可寻址，KSL8P18提供了灵活的中断处理能力和8级深度的堆栈，在工业中增强I/O型的KSL8P18应用广泛，比如在驱动直流电机环境。此外KSL8P18可在低电流消耗环境中工作，像远程控制器和电池驱动系统
特性

• 61条强大的指令缓解了编码的复杂度
• 所有的指令都只需要一个周期除非有分支的情况
• 内存配置：
  2K×16 bits的OTP程序存储器ROM
  78×8 bits 的通用随机存取寄存器RAM
• 16位宽度的指令
• 8位宽的数据通道
• 所有的分支均有各自选择的存储器
• 中断处理
• 8级深度的硬件堆栈
• 运行速度：直流DC-20MHz的时钟输入
• 双向I/O：Port A,B,PX,PY
• 内置上拉：Port A,B,PX,PY
• 唤醒/中断：（PB[7：11]/PA7/PX/PY/INT/TBI/I2C/Timero)
• 内置的红外LED驱动晶体管：PX(250 mA@ 3V  VOL=1.5V)
• 软件控制液晶COM端口
• 带有8位可编程预分频器和溢出中断的8位实时时钟/计时器（TMR0）
• I2C从属模式（最高可达400 Kbits/s)
• 开机复位（POR)
• 复位定时器(DRT)
• 振荡器起振定时器(OST)
• 看门狗定时器（WDT)
• 可配置的WDT唤醒：复位/继续
• 省电停止状态
• 振荡器类型：
  LP32K：低频晶体（节电模式）
  XT4M：标准晶体/谐振器
  HS16M：高速晶体/谐振器
  BR16M：内置OSC，高精度，16MHz（精确度±5%）
  BR4M：内置OSC，高精度，4MHz(精确度±5%）
• 主时钟分频器
• EMI配置位来减少晶体输出的次谐振功率
• 完全静止设计的CMOS OTP技术
• 工作电压范围：2.2V~5.5V
• 工作温度范围：-40℃~85℃
• I/O驱动能力
  VDD=5.0V
  源电流：-6mA（Voh=4.5V)
  反向电流：22.0mA（Vol=0.5V）
  VDD=3.0V
  源电流：-2.5mA（Voh=2.7V)
  反向电流：10.0mA（Vol=0.3V）
• 低功耗：
  功耗表如下

Mode	2.2V	3.3V	5.5V	VDDMIN
LP(32.768K)	2uA	7uA	32uA	2.2V
XT(4MHz)	200uA	400uA	1mA	2.2V
XT(4MHz EMI)	180uA	340uA	0.8mA	2.2V
HS(16MHz)	X	1.6mA	4.5mA	3.0V
HS(16MHz EMI)	X	1.4mA	3.5mA	3.0V
HS(20MHz)	X	1.8mA	5.2mA	3.3V
HS(20MHz EMI)	X	1.6mA	4.9mA	3.3V
BR16M(8.62MHz)	X	750uA	1.75mA
BR16M(15.62MHz)	X	1.1mA	2.4mA
BR16M(22.25MHz)	X	1.5mA	3.1mA
Standby   (WDT disable)	0.5uA	1.0uA	3.0uA